英特尔公布10纳米制程 密度提升性能加强

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     9月19日消息，英特尔今天公布了10纳米工艺制程的消息，这无异于一个重磅炸弹。目前全球性能最高的是14纳米晶体管，业内大多数使用的还算是14/16/20纳米制程，英特尔的10纳米工艺预计会领先整整一代。10纳米提高了晶体管密度并降低了单个晶体管成本
　　英特尔10 纳米工艺使用了超微缩技术 （hyper scaling），充分运用了多图案成形设计 （multi-patterning schemes），可以助力英特尔延续摩尔定律的经济效益，从而推出体积更小、成本更低的晶体管。未来英特尔10纳米制程将用于制造英特尔全系列产品。
　　在工艺方面，英特尔10纳米制程的最小栅极间距从70纳米缩小至54纳米，且最小金属间距从52纳米缩小至36纳米。尺寸的缩小使得逻辑晶体管密度可达到每平方毫米1.008亿个晶体管，是之前英特尔14纳米制程的2.7倍，大约是业界其他“10纳米”制程的2倍。
英特尔10纳米把逻辑晶体管密度提高了2.7倍
　　性能上，相比之前的14纳米制程，英特尔10纳米制程提升高达25%的性能和降低45%的功耗。相比业界其他所谓的“10 纳米”，英特尔10纳米制程也有显着的领先性能。
　　另外，英特尔执行副总裁 Stacy J.Smith 还向全世界首次展示了以最新 10 纳米制程技术所打造的晶圆，这也是未来 Cannon Lake CPU 的最基础的部分，并将会在 2017 年底前正式投产 10 纳米制程技术的处理器。